Cuprins:
- Definiție - Ce înseamnă memoria rezistentă la acces aleatoriu (ReRAM)?
- Techopedia explică Memoria de acces aleatoriu rezistentă (ReRAM)
Definiție - Ce înseamnă memoria rezistentă la acces aleatoriu (ReRAM)?
Resistive Random Access Memory (RRAM / ReRAM) este un nou tip de memorie conceput pentru a nu fi volatil. Este în curs de dezvoltare de o serie de companii, iar unele au brevetat deja propriile versiuni ale tehnologiei. Memoria funcționează prin schimbarea rezistenței unui material dielectric special numit memresistor (rezistență de memorie) a cărui rezistență variază în funcție de tensiunea aplicată.
Techopedia explică Memoria de acces aleatoriu rezistentă (ReRAM)
RRAM este rezultatul unui nou tip de material dielectric care nu este deteriorat definitiv și eșuează atunci când are loc o defecțiune dielectrică; pentru un memresistor, defalcarea dielectrică este temporară și reversibilă. Când tensiunea este aplicată în mod deliberat pe un memresistor, în material sunt create căi conductoare microscopice numite filamente. Filamentele sunt cauzate de fenomene precum migrația metalelor sau chiar defecte fizice. Filamentele pot fi rupte și inversate aplicând diferite tensiuni externe. Aceasta este crearea și distrugerea filamentelor în cantități mari care permite stocarea datelor digitale. Materialele care au caracteristici memresistor includ oxizi de titan și nichel, unii electroliți, materiale semiconductoare și chiar câțiva compuși organici au fost testate pentru a avea aceste caracteristici.
Avantajul principal al RRAM față de alte tehnologii non-volatile este viteza mare de comutare. Din cauza subtilității memoriștilor, are un potențial mare de densitate mare de stocare, viteze mai mari de citire și scriere, consum de putere mai mic și costuri mai ieftine decât memoria flash. Memoria flash nu poate continua să se extindă din cauza limitelor materialelor, astfel încât RRAM va înlocui curând memoria flash.
