Cuprins:
Definiție - Ce înseamnă Perfect RAM?
Memoria RAM perfectă este un tip de memorie de acces aleatoriu nevolatil. Stochează date schimbând starea materialului utilizat; sticla cu calcogenură comută între stări atunci când este supusă căldurii produse de trecerea unui curent electric. La nivel microscopic, datele se schimbă înainte și înapoi între două stări: amorfă și cristalină.
RAM perfectă este una dintre mai multe tehnologii de memorie care concurează pentru a înlocui memoria flash, care are o serie de probleme.
Acest termen este, de asemenea, cunoscut sub numele de PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM și Phase-Change Memory (PCM).
Techopedia explică RAM-ul perfect
În stare amorfă (sau în fază dezordonată), materialul are o rezistență electrică ridicată. În starea cristalină (sau faza ordonată), are o rezistență mai mică. Astfel, curentul electric este permis să fie pornit și oprit, care reprezintă stări digitale înalte și joase, corespunzând valorilor 1 și 0 ale unui cod binar. Cercetări recente au descoperit două state suplimentare, dublând efectiv capacitatea de stocare.
Timpurile de scriere pentru o memorie flash sunt de aproximativ un milisecund pentru un bloc de date, de 100.000 de ori mai mare decât timpul de citire tipic de 10 nanosecunde (ns) pentru un octet folosind memoria statică de acces aleatoriu (SRAM). Memoria RAM perfectă poate oferi performanțe mult mai mari atunci când este importantă scrierea rapidă. Memoria flash se degradează cu fiecare explozie de tensiune. Dispozitivele RAM perfecte se degradează, dar într-un ritm mult mai lent. Aceste dispozitive pot suporta aproximativ 100 de milioane de cicluri de scriere. Durata de viață perfectă a RAM-ului este limitată de expansiunea termică în timpul programării, migrației metalelor și mecanisme necunoscute.
Unele dintre provocările tehnologiei RAM perfecte implică cerința pentru o densitate ridicată a curentului de programare (control precis al curentului), rezistență pe termen lung (rezistență susținută la curent electric) și prag de tensiune în derivă (control precis al tensiunii electrice) - toate la nivel microscopic. Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics și Numonyx, printre altele, cercetează aceste provocări.
